華為布局第三代半導(dǎo)體技術(shù)！
據(jù)報道，華為公司日前通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司，占股10%，后者是一家以碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司，此舉顯示華為正在布局新一代半導(dǎo)體技術(shù)。
山東天岳注冊于2011年，位于山東濟南市，已成長為行業(yè)內(nèi)國際先進的碳化硅半導(dǎo)體材料世界級企業(yè)。目前山東天岳已是國家工信部主管的“中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”理事長單位，建有“碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)”國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站和2個省級研發(fā)平臺，在海外設(shè)有4個研發(fā)中心，擁有60余人研發(fā)團隊，先后承擔20余項國家、省部級課題。
據(jù)官網(wǎng)介紹，以SiC碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬、熱導(dǎo)率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學(xué)性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，今后可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED），以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域，并被列入《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》，在今后國民經(jīng)濟的發(fā)展中占有重要地位。
華為沒有公布投資碳化硅技術(shù)的具體內(nèi)容，不過碳化硅主要應(yīng)用市場有5G、汽車IGBT芯片及微波通信等領(lǐng)域，這些多少都跟華為現(xiàn)在及未來的業(yè)務(wù)有關(guān)。
從今年5月16日之后，包括海思在內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)對華為而言意義更加重要，前幾天海思的注冊資本還從6億大漲到了20億，意味著半導(dǎo)體業(yè)務(wù)還要繼續(xù)擴大，這次投資第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)顯然也是未雨綢繆，提高國內(nèi)技術(shù)所占的比重。
